IBM儲(chǔ)存技術(shù)新突破！PCM比快閃記憶體快、比DRAM可靠

近年因行動(dòng)裝置和物聯(lián)網(wǎng)快速成長(zhǎng)，如何處理龐大資料也成了背后關(guān)鍵技術(shù)。IBM研發(fā)出比快閃記憶體更快、比DRAM更便宜的光學(xué)儲(chǔ)存科技，有望成為新一代的資料處理科技，電腦、手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和云端人工智慧產(chǎn)業(yè)皆可受惠。

（圖說：IBM研發(fā)儲(chǔ)存技術(shù)有新突破。圖片來源：IBM Research）

根據(jù)《TheVerge》報(bào)導(dǎo)，這項(xiàng)技術(shù)叫“相變化記憶體（Phase-change memory，PCM）”，透過改變PCM上硫化物型態(tài)所產(chǎn)生的不同電流來讀寫資料。因具有讀寫速度快、耐用、非揮發(fā)性（non-volatility）等優(yōu)勢(shì)，一直被視為儲(chǔ)存科技的潛力股，但在過去受限于成本過高和儲(chǔ)存有限，一個(gè)儲(chǔ)存單位（cell）僅能存1bit，難以應(yīng)用于電腦和行動(dòng)裝置上，僅被用在藍(lán)光光碟。現(xiàn)在，IBM研發(fā)出PCM每?jī)?chǔ)存單位可存3bit而不受周圍溫度影響，突破儲(chǔ)存密度的限制可讓PCM的成本遠(yuǎn)低于DRAM，大幅度提升PCM實(shí)際應(yīng)用于商業(yè)的可能。

不像DRAM在中斷電力后會(huì)失去資料，PCM和快閃記憶體一樣，在失去電力的情況下也可暫存資料。跟快閃記憶體相比，PCM可寫入至少1千萬次，快取記憶體平均僅能寫入約3000次。此外，根據(jù)《Engadget》報(bào)導(dǎo)，PCM的讀取速度少于1微秒，快取記憶體則約70微秒。這些特性讓PCM有望成為改變資料處理的革新技術(shù)。

（圖說：PCM與現(xiàn)有儲(chǔ)存技術(shù)相比。圖片來源：IBM Research）

PCM的技術(shù)革新對(duì)電腦和手機(jī)都有重要影響力。根據(jù)IBM的說法，PCM可用來取代目前RAM在桌機(jī)的應(yīng)用，此外，透過使用PCM和快閃記憶體的混合形式，也可大幅提升行動(dòng)裝置的速度。“例如，手機(jī)作業(yè)系統(tǒng)可儲(chǔ)存于PCM，幾秒內(nèi)就可開機(jī)。從企業(yè)端來看，可將資料庫(kù)儲(chǔ)存在PCM，加快時(shí)間至上的線上服務(wù)，例如金融交易。”IBM新聞稿指出。云端人工智慧應(yīng)用也可受惠于PCM，IBM表示：“使用大量資料庫(kù)的機(jī)器學(xué)習(xí)演算法，可在每次重複讀取資料時(shí)減少延遲時(shí)間，加快進(jìn)展速度。”

首圖來源：IBM Research
資料來源：IBM Research、TheVerge、Engadget

文章: 2016-05-19 09:24:50-221.222.205.8

文章來源：機(jī)房監(jiān)控 http://m.scdprobes.com